2013年，隨著智能機平板市場繼續走熱，以NAND Flash為核心的各類存儲器件缺貨嚴重，存儲器件的供應在2013年將一直呈現缺貨勢態嗎？2013年智能機平板電腦超極本平臺廠商發力重點在哪里？如何實現差異創新？透過第二屆NAND Flash應用高峰論壇，本土存儲器件領軍企業BIWIN匯聚產業鏈上下游力量，共同應對存儲挑戰，推進智能機平板創新。

圖1 高峰論壇現場

本次高峰論壇與2012年首屆高峰論壇一樣，以NAND Flash應用為核心，聚合了智能手機、平板電腦和超極本產業鏈上下游廠商，參與演講嘉賓分別來自集邦科技、東芝、博通、Marvell、英特爾、華為、瑞芯微、深圳品網科技和BIWIN集團，他們分別分析了存儲器件市場走勢與技術發展趨勢、智能手機平板電腦超極本平臺發展趨勢，分享了差異創新的思路，300多位參會觀眾深感受益匪淺。

2013年，存儲器件會整年缺貨嗎？該如何應對？

圖2  BIWIN集團董事長孫日欣認為存儲器件不會整年處于缺貨狀態

2013年以來，智能手機、平板電腦廠商都或多或少遭遇存儲器件缺貨，甚至有人斷言2013年整年存儲器件都將缺貨，對此，BIWIN集團董事長孫日欣指出：“存儲器件目前已成智能手機平板電腦關鍵組件，直接關系整機的成本，而縱觀Flash的發展，其每次工藝的變化都會帶來新的應用商機，能最早解決新產品應用的企業，無疑會為公司帶來更好的利潤。BIWIN認為存儲器件在2013年的長期短缺不太可能，不過上半年可能會經歷比較大的缺貨�！�

集邦科技記憶體與存儲事業部協理楊文得在《2013 NAND Flash市場展望》演講中指出，從供需來看，2013年全球閃存市場營收會增長25億美元，達到250億美元規模，同時，研究顯示，2013年的閃存供需基本平衡，供應增長還略高于需求2個百分點。

圖3  2013年 NAND Flash市場供需分析

但是，為什么在終端應用市場，存儲器件會有如此大的波動呢？孫日欣分析這是因為終端發展速度遠遠高于存儲器件的產能增長，“智能機平板電腦市場今年的增長可能會達到200%，而Flash產能擴增也就是30%左右，這中間的差距太大了，導致市場供需失衡。”他指出，“目前，三星基本自己供應自己的產品，只有東芝和美光對外供應，所以雖然宏觀上平衡，但到微觀市場出現失衡�！�

圖4 閃存市場三國爭霸局面

楊文得指出，目前閃存市場是三國爭霸局面，由于閃存工藝升級很快，廠商需要投入大量的財力維持產能，去年閃存價格一直處于下跌，生產廠商苦不堪言，廠商需要基本的利潤維持，所以東芝還將產能調低30%，由此看來，2013年的存儲供應短缺將呈現常態化，他預測今年第三季第四季還將出現供不應求的局面。

不過，作為本土eMMC和eMCP主要供應商，孫日欣認為由于BIWIN和全球兩大Flash供應商東芝和美光保持著長久緊密的合作，是其最重要的客戶，而且BIWIN早已制定了應對短缺的策略，所以，BIWIN的eMCP和eMMC產能相對充足，可以確保供應�！拔覀兊膃MCP 是國內第一個量產的，目前已經在和多個手機平臺進行配套驗證，很快采用我們eMCP 的智能手機就要面市了�！睂O日欣強調�！拔覀儎偤蜄|芝高層進行了接觸，在供應方面可以有保障�！�

孫日欣透露，BIWIN已經在研發最新的POP封裝技術，會把存儲器件和更多其他器件封裝在一起，這樣可以為最新的小型化設備如類似iWatch、可穿戴式設備提供支持。“我們會不斷投資新技術，關注新技術的發展，努力保持技術領先性�！睂O日欣表示�！癇IWIN舉辦此次高峰論壇的初衷也是希望通過這樣的論壇為系統廠商設計人員帶來思維的沖擊和價值的參考，也希望通過這次論壇推動產業鏈的升級�！皩τ诒就疗髽I來說，做低端只能糊口做高端才能發展，不能總在垃圾中找吃的�！彼�精辟地概括。

Nand Flash與DRAM技術未來將如何發展？

圖5  東芝半導體技術統括部存儲應用技術經理康敏宣分析NAND Flash未來發展

如今半導體技術飛速發展，作為存儲中堅的NAND Flash和DRAM技術未來將如何發展？NAND Flash發明者東芝半導體技術統括部存儲應用技術經理康敏宣獨家披露了未來發展戰略。

首先他認為NAND Flash未來的應用領域將更加拓廣，“估計今年的NANDFlash總需求量會達到600億GB。”他指出，“除了在手機平板超極本領域應用外，汽車電子、服務器的應用也很大�！�

他表示東芝的策略是不斷開發先進的工藝技術來提升產能，緩解供應壓力。如東芝是第一家推出19nm產品的公司，“未來，隨著工藝技術發展，東芝的發展方向是兩個，一個是大容量存儲，如19nm工藝產品，不過這個往下發展難度很大，所以，東芝會在明后年推出POST-NAND的產品，也就是3D NAND產品，接下來是POST-POST NAND。另個方向是東芝會投資發展磁阻內存(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)技術， 它將替代現在的DRAM，磁阻內存和DRAM內存采用了完全不同的原理。DRAM內存用以表示"0"和"1"的方式是判斷電容器中的電量多少來進行的，它不僅需要保持通電，還需要周期性地給電容充電才能保證內容不丟。而磁阻內存的存儲原理則完全不使用電容，它采用兩塊納米級鐵磁體，在界面上用一個非磁金屬層或絕緣層來夾持一個金屬導體的結構。通過改變兩塊鐵磁體的方向，下面的導體的磁致電阻就會發生變化。電阻一旦變大，通過它的電流就會變小，反之亦然。

他最看好的明星產品是自旋扭矩轉換(spin-torque-transfer , STT)MRAM，“現在手機中的DRAM，斷電后不能保存資料，而且功耗很高，但MRAM沒有這個問題，而且它的讀寫速度非�？�，而且理論上它的讀寫刷新是無限的，所以我們非�？春眠@款產品，我們希望用MRAM代替現在的DRAM�！彼�指出。

另外他特別強調東芝的所有NAND Flash產品都在日本巖手縣有的第五座NAND型閃存(Flash)工廠生產，以確保向市場提供可靠穩定的產品。

頁碼： 1 2 3  下一頁